รอดูเรื่องความทนทานและราคาเลยครับ 🍋
Samsung Electronics เปิดเผยความก้าวหน้าครั้งสำคัญของวงการหน่วยความจำ หลังทีมวิจัยจาก Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) พัฒนาเทคโนโลยี NAND แบบใหม่ที่ใช้ทรานซิสเตอร์ฟีโรอิเล็กทริก (FeFET) โดยงานวิจัยนี้ได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร Nature และมีจุดเด่นสำคัญคือสามารถลดการใช้พลังงานได้มากถึง 96% เมื่อเทียบกับ NAND แบบเดิม
.
หัวใจของเทคโนโลยีนี้อยู่ที่การเปลี่ยนวัสดุมาใช้ hafnium oxide ซึ่งมีคุณสมบัติเป็นเฟ อร์โรอิเล็กทริก ทำให้ทรานซิสเตอร์สามารถเก็บสถานะไฟฟ้าได้ด้วยตัวเอง ส่งผลให้แรงดันไฟที่ใช้ Pass Voltage ลดลงจนเกือบเป็นศูนย์ จึงไม่จำเป็นต้องจ่ายไฟให้ทุกชั้นเวลาอ่านหรือเขียนข้อมูลแบบเดิม ซึ่งเป็นสาเหตุหลักที่ทำให้ NAND ยุค 3D ที่มีชั้นซ้อนกันหลายร้อยเลเยอร์กินพลังงานสูง
.
ผลการจำลองชี้ว่าโครงสร้าง 286 ชั้นสามารถลดพลังงานได้ราว 94% และที่ระดับ 1,024 ชั้นลดได้มากกว่า 96% ขณะเดียวกันยังรองรับการเก็บข้อมูลระดับ 5 บิตต่อเซลล์ (PLC) เดิม 4 บิตต่อเซลล์ (QLC) และ เดิม 3 บิตต่อเซลล์ (TLC) ทำให้เป็นความหนาแน่นสูงสุดในอุตสาหกรรมปัจจุบัน ทำให้ทั้งความเร็ว ความจุ และความร้อนมีประสิทธิภาพดีขึ้นพร้อมกัน
.
แม้ผลงานยังอยู่ในขั้นวิจัย แต่ผลลัพธ์นี้มีความหมายอย่างยิ่งต่ออุตสาหกรรมไอที ตั้งแต่สมาร์ตโฟนที่อาจมีแบตเตอรี่ใช้งานได้นานขึ้น ลดความร้อนจ ากงาน AI ไปจนถึงศูนย์ข้อมูลและระบบ Cloud ที่ต้องการประหยัดพลังงานมากขึ้น นอกจากนี้ยังช่วยเปิดทางให้อุปกรณ์ในอนาคตพัฒนาให้บาง เบา และมีประสิทธิภาพสูงขึ้นได้
.
Samsung ยังไม่ระบุช่วงเวลาการผลิตจริง แต่ตามวงจรเทคโนโลยี NAND คาดว่าเราอาจเห็นต้นแบบเชิงพาณิชย์ภายในปี 2026-2027 ซึ่งหากเกิดขึ้นจริง นี่จะเป็นหนึ่งในก้าวสำคัญที่สุดของโลกสตอเรจยุคใหม่อย่างแน่นอน
.
ที่มา : tomshardware
เทคโนโลยี NAND แบบ FeFET จาก Samsung ที่ใช้ทรานซิสเตอร์ฟีโรอิเล็กทริกถือเป็นการปฏิวัติวงการหน่วยความจำดิจิทัล เพราะช่วยลดการใช้พลังงานได้มากถึง 96% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี V-NAND แบบเดิมที่ใช้กันทั่วไป ซึ่งเป็นประโยชน์อย่างมากต่ออุตสาหกรรมไอทีที่ต้องการประหยัดพลังงานและลดความร้อนจากอุปกรณ์ โดยเฉพาะการใช้วัสดุ hafnium oxide ที่มีคุณสมบัติเป็นเฟอร์โรอิเล็กทริก ช่วยให้ทรานซิสเตอร์สามารถเก็บสถานะไฟฟ้าได้เองโดยไม่ต้องจ่ายแรงดันไฟสูงตลอดเวลา ช่วยลด Pass Voltage ไปจนเกือบเป็นศูนย์ ส่งผลให้ทั้งสมาร์ตโฟน, ศูนย์ข้อมูล และระบบคลาวด์ที่ใช้ SSD สามารถทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น โครงสร้าง NAND ที่พัฒนาขึ้นมีจำนวนชั้นเยอะถึง 286 ชั้น ไปจนถึง 1,024 ชั้น ที่รวมแล้วสามารถเก็บข้อมูลได้ถึง 5 บิตต่อเซลล์ (PLC) ซึ่งสูงกว่าระดับ 4 บิตใน QLC และ 3 บิตใน TLC ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ความหนาแน่นข้อมูลที่เพิ่มขึ้นนี้ช่วยให้ความจุสูงขึ้นในขนาดหน่วยความจำเท่าเดิม รวมถึงช่วยเพิ่มความเร็วและลดความร้อนที่เกิดขึ้น ด้านความทนทานและราคา แม้ยังไม่เปิดเผยรายละเอียดชัดเจน แต่ด้วยความก้าวหน้าสูงสุดนี้ เชื่อว่าผลิตภัณฑ์ SSD และหน่วยความจำในอนาคตจะมีคุณภาพดีกว่าเดิม ใช้พลังงานน้อยลง และราคาที่คุ้มค่าขึ้นตามเทคโนโลยีที่ถูกปรับใช้ในอุปกรณ์ทั่วไป ความสำเร็จนี้ยังส่งผลให้วงการไอทีมีโอกาสพัฒนาอุปกรณ์ขนาดเล็ก น้ำหนักเบา และมีประสิทธิภาพสูงขึ้น พร้อมรองรับการประมวลผล AI ที่ต้องการพื้นที่จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่และการใช้พลังงานต่ำได้ดียิ่งขึ้น เราน่าจะได้เห็นผลิตภัณฑ์ต้นแบบ NAND FeFET ทางการค้าภายในปี 2026-2027 ซึ่งเป็นก้าวสำคัญที่จะช่วยเติมเต็มความต้องการใช้งาน SSD รุ่นใหม่ทั้งในมือถือ, เครื่องคอมพิวเตอร์, และระบบคลาวด์ทั่วโลกอย่างแน่นอน