5 นาโนของจีนมาแล้ว

SMIC บริษัทผลิตชิปยักษ์ใหญ่ของจีน ออกมาประกาศว่าสามารถเดินหน้าการผลิตชิประดับ 5 นาโนเมตร หรือ SMIC N+3 แบบ Mass Production ได้สำเร็จ โดยความน่าสนใจที่สุดคือการผลิตนี้เกิดขึ้นโดยไม่พึ่งพาเครื่อง EUV (Extreme Ultraviolet) ที่โดนแบนไป แต่ใช้เทคนิคขั้นสูงบนเครื่อง DUV (Deep Ultraviolet) แทน

.

ซึ่งทาง TechInsights ได้ยืนยันผ่านการชำแหละชิป Huawei Kirin 9030 SoC รุ่นล่าสุดที่พบในสมาร์ทโฟนตระกูล Mate 80 ว่าถูกผลิตด้วยเทคโนโลยี N+3 นี้จริง นับเป็นก้าวสำคัญที่ทำให้จีนขยับเข้าใกล้เป้าหมายการพึ่งพาตนเองด้านเซมิคอนดักเตอร์ไปอีกขั้น

.

ในเชิงเทคนิค การผลิตชิปขนาดเล็กเช่นนี้ด้วยเครื่อง DUV ถือเป็นเรื่องที่ท้าทายอย่างยิ่ง เนื่องจากเครื่อง DUV มีความยาวคลื่นแสงอยู่ที่ 193 นาโนเมตร ซึ่งกว้างกว่าเครื่อง EUV ที่มีคลื่นแสงเพียง 13.5 นาโนเมตรอย่างมาก SMIC จึงต้องใช้เทคนิคที่เรียกว่า Multi-patterning หรือการพิมพ์ลวดลายซ้ำหลายครั้ง

.

รวมถึงการใช้กระบวนการ SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) และการปรับแต่งการออกแบบร่วมกับการผลิต (DTCO) เพื่อบีบอัดขนาดของวงจรให้เล็กลงเท่าที่จะทำได้ แม้เทคนิคเหล่านี้จะช่วยให้สามารถผลิตชิปที่มีความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์สูงขึ้นได้

.

แต่ผู้เชี่ยวชาญมองว่าโหนด N+3 นี้เป็นการนำเทคโนโลยี 7 นาโนเมตรเดิมมาตีบวก (Scaled Extension) มากกว่าจะเป็นการก้าวกระโดดสู่เทคโนโลยี 5 นาโนเมตรอย่างเต็มตัวแบบที่ TSMC หรือ Samsung ทำ

อย่างไรก็ตามความก้าวหน้านี้ต้องแลกมาด้วยต้นทุนที่มหาศาลและอุปสรรคด้านประสิทธิภาพการผลิต เนื่องจากเทคนิคที่นำมาใช้ผลิตชิปเป็นการกัดลายวงจรซ้ำหลายรอบจนกว่าจะได้ขนาดที่ต้องการ ทำให้มีความผิดพลาดสูงกว่า ส่งผลให้ Yield ของชิปอยู่ในระดับต่ำมาก

.

นักวิเคราะห์คาดการณ์ว่าชิป Kirin 9030 น่าจะถูกผลิตภายใต้สภาวะที่ยอม "ขาดทุน" ในเชิงธุรกิจ โดยมีชิปจำนวนมากที่ต้องถูกทิ้งหรือนำไปลดสเปกเพื่อใช้งานในรุ่นอื่น แต่สำหรับจีนแล้ว นี่คือการลงทุนที่คุ้มค่าเพื่อแลกกับความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีและการสร้างระบบนิเวศที่พึ่งพาตัวเองได้ในระยะยาว ท่ามกลางการถูกปิดกั้นเทคโนโลยีจากตะวันตก

.

ที่มา : tomshardware

#ข่าวไอที #รวมเรื่องไอที #ไอที่น่ารู้ #ไอที

2025/12/24 แก้ไขเป็น

... อ่านเพิ่มเติมสำหรับผู้ที่สนใจเรื่องเทคโนโลยีการผลิตชิป SMIC ใช้วิธีที่เรียกว่า Multi-patterning ร่วมกับเทคนิค SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning) เพื่อชดเชยข้อจำกัดของเครื่อง DUV ที่มีความยาวคลื่นแสงอยู่ที่ 193 นาโนเมตร ซึ่งแตกต่างจากเครื่อง EUV ที่มีเพียง 13.5 นาโนเมตร การทำซ้ำขั้นตอนการกัดลายหลายรอบช่วยให้สามารถลดขนาดทรานซิสเตอร์ได้ใกล้เคียงกับเทคโนโลยี 5 นาโนเมตร แม้จะยังไม่ใช่เทคโนโลยี EUV แท้ ๆ ก็ตาม อย่างไรก็ตาม วิธีนี้ยังมีข้อจำกัดในแง่ของต้นทุนสูงและอัตราสำเร็จ (yield) ที่ต่ำกว่า ส่งผลให้ชิป Kirin 9030 ที่ผลิตด้วยวิธีนี้อาจมีจำนวนมากที่ต้องถูกคัดทิ้งหรือลดสเปก สำหรับจีน การยอมลงทุนและยอมรับความเสี่ยงนี้เป็นเหมือนการเดินหน้าสร้างฐานเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ของตัวเอง ท่ามกลางสงครามการค้าทางเทคโนโลยีและการถูกแบนเครื่องมืออันทันสมัยจากตะวันตก จึงเป็นก้าวแรกที่มีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับอนาคตอุตสาหกรรมไอทีและมือถือของจีน สุดท้าย ผมแนะนำว่าแม้จะยังไม่เสมือนเทคโนโลยี 5 นาโนเมตรของ Samsung หรือ TSMC ที่ใช้ EUV แต่วิธีนี้ก็น่าสนใจและควรจับตาดูต่อไปว่า SMIC จะพัฒนาเทคโนโลยีนี้ให้มีประสิทธิภาพและต้นทุนที่แข่งขันได้อย่างไรในอนาคตครับ

1 ความคิดเห็น

รูปภาพของ Pattana7623
Pattana7623

เครื่องต้นแบบเกิดแล้วครับ อาจจะอยู่ในฮวาเหว่ยสาขาตงหงวน ตอนนี้กำลังอยู่ในช่วงทดสอบการผลิตและขัดเกลากระบวนการ และมันไม่ใช่เครื่องห่วยแตก ใหญ่คับโรงงาน ลอกมาจาก ASML แบบที่ข่าวกระแสหลักอเมริกาบอก